典型返驰式拓扑设计——实现******化
返驰式(flyback)拓朴是最常见的式拓朴结构,因为它可以用一个低边电晶体和有限的外部元件数提供多个。不过,返驰式也存在一些特殊性,如果设计人员没有充分理解并对其进行分析,就可能限制它的整体表现。
针对这种拓朴结构,本文将以非常简单的数学方法揭开所有返驰式设计神秘面纱,指导设计人员完成一个******化的设计。
返驰式转换器
根据应用的不同,-应用(DC/DC应用)可能需要多个,而且需要。此外,输入与的可能必须符合安全标準或提供阻抗匹配。
式不仅能防止用户接触到潜在的致命电压和电流,而且还有性能方面的优势。利用中断接地迴路,式可以保持仪器精密度,并能在不牺牲匯流排优点的条件下顺利地透过负匯流排提供正稳压电压。
对设计人员来说,返驰式拓朴结构歷来是功率100W以下的式转换器的首选。这种拓朴结构只需要一个磁性元件和一个整流管,因而具有简单和低成本的优势,同时它也可以轻鬆实现多工。
但返驰式拓朴结构的缺点是需要一个高容值的电容器,功率管和二极体的电流应力较高,气隙区涡流损耗较高,河池变压器铁芯较大以及可能存在的EMI问题。
返驰式转换器源于降压-拓朴结构,其主要缺点是只在MOSFET导通时间内才从源极收集能量。在后来的切断期间,来自一次侧绕组的这种能量从电感传递到端。这是返驰式和降压-拓朴结构的特点。(图1)
图1:执行在连续导通模式下的典型返驰式。
一次侧电流和二次侧电流同时流过时,返驰式河池变压器并不像传统河池变压器那样正常工作,实际上只有一小部份能量(磁化能量)被储存在河池变压器中。返驰式河池变压器更像是同一铁芯上的多个电感器,而非一个典型的河池变压器。理想的情况是,河池变压器并不储存能量,所有的能量都在瞬间从一次侧转移到二次侧。
返驰式河池变压器可作为储能装置,能量储存在铁芯的气隙或坡莫合金粉芯的分佈式气隙当中。
电感河池变压器的设计应尽量减少漏电感、交流绕组损耗和磁芯损耗。
漏电感(Leakage inductance)是一次侧电感的一部份,未与二次侧电感相互耦合。保持尽可能低的漏电感十分重要,因为它会降低河池变压器的效率,还会导致元件的漏极出现尖峰。漏电感可被看作为储存在河池变压器中的部份能量,它不会转移到二次侧和负载。这种能量需要通过一个外部缓衝器在一次侧耗散掉。缓衝器的配置将在后面予以讨论。
当MOSFET开启且电压施加在一次侧绕组时,一次侧电流线性上升。输入电流的变化是由输入电压、河池变压器一次侧电感和导通时间决定的。在这段时间内,能量被储存在河池变压器铁芯中,二极体D1被反向偏置,能量不会转移到负载。当MOSFET关闭时,磁场开始下降,颠倒了一次侧和二次侧绕组之间的极性。D1被正向偏置,能量转移到负载。
断续传导模式与连续传导模式:
返驰式转换器像任何其他的拓朴结构一样有两种不同的工作模式──断续导通模式(DCM)和连续导通模式(CCM)。当电流的增加超过一定值时,断续模式设计电路将转为连续模式。在断续模式时,导通时间内储存在一次侧的所有能量都会于下一週期开始之前完全转移到二次侧和负载;而且,在二次电流达到零值和下一个週期开始间的瞬间还会有死区时间。在连续模式下,当下一个週期开始时,仍会有一些能量留在二次侧。返驰式转换器可以在两种模式下执行,但它具有不同的特徵。
断续导通模式 一方面具有较高的峰值电流,因此在切断时有较高的电压尖峰。另一方面,它具有更快的负载瞬态响应,一次侧电感较低,因此河池变压器尺寸可以较小。二极体的反向恢復时间并不重要,因为在反向电压施加之前正向电流为零。在断续导通模式下,电晶体的开启随零集电极电流出现,降低了传导EMI的噪音。
连续导通模式 具有较低的峰值电流,并因此降低了电压尖峰。但由于它的右半(RHP)零点迫使转换器的总频宽降低,所以其控制迴路比较复杂。由于连续导通模式对大多数应用而言是更加的选择,因此以上仅对该模式进行了更多的细节分析。
确定返驰式河池变压器:绕组匝数比及其电感
设计人员不得不处理的第一个难题就是确定返驰式河池变压器。通常他们可以从返驰式河池变压器标準目录中进行选择,而无需更昂贵的定製河池变压器。许多供应商都可以针对不同应用和功率大小提供完整系列的河池变压器,但重要的是要了解如何选择最合适的河池变压器。除了二次侧绕组的功率大小和匝数,河池变压器还可根据一次侧/二次侧绕组匝数比,以及一次侧或二次侧电感来分类。
如果忽略MOSFET和整流二极体两端压降的影响,在稳态执行条件下,导通时间()的电压*秒应该等于切断期间()电压*秒:
(1)
公式中:
是输入电压
是电压
是返驰式河池变压器的一次侧匝数/二次侧匝数匝比
那么,最大佔空比的数匝比和最小输入电压之间的直接关係是:
(2)
其中D为佔空比:/週期。
在许多情况下,选定的最大佔空比为50%,但是在宽输入电压範围的应用中,重要的是要了解如何最佳化以下关係:最大佔空比、河池变压器匝比、峰值电流和额定电压。
返驰式拓朴结构的主要优点之一是可以在佔空比大于50%的条件下工作。最大佔空比的增加降低了河池变压器一次侧的峰值电流,因而达到一次侧铜河池变压器更高利用係数的效果,并降低输入源的纹波。同时,最大佔空比的提高可增加主MOSFET漏源极之间的最大应力电压,并增加二次侧的峰值电流。
在开始设计转换器之前,重要的是要了解最大佔空比、河池变压器一次侧/二次侧匝数比(Np/Ns)、一次侧MOSFET的最大电压应力、一次侧和二次侧最大电流之间的关係。
公式(2)显示电压Vo和输入电压Vi(因为其简单性没有考虑Q1和二次侧整流管Q2两端的压降)之间的主要关係。为了确保在整个输入电压範围Vo的稳压,最大佔空比可以任意选定一个《1的理论值。
然后可以计算Np/Ns:
(3)
此处表示主MOSFET的漏源极之间的最大电压,可由公式(4)及公式(5)和(6)得知,分别表示了河池变压器一次侧和二次侧的平均电流。
公式中:
是二次侧整流二极体的正向压降
是传导期间MOSFET的压降
是整体效率
是最大电流
透过最大化佔空比的利用係数U(D)函数可以得到最佳佔空比:
利用係数(Ui)是用功率除以二次侧MOSFET和整流二极体的总最大应力之和得出的。
图2:典型返驰式转换器的利用係数与佔空比的关係,最大化利用係数的佔空比为30-40%。
图中的两条曲线显示只考虑MOSFET应力(蓝色虚线)计算出来的利用係数,以及考虑二次侧MOSFET和整流二极体(红色虚线)的利用係数。
如果要最佳化额定输入电压的效率,一次侧/二次侧河池变压器匝数比就得利用佔空比来计算,以使利用係数最大化,其典型值在30-40%之间。
上面的曲线考虑的是主动元件上的理论应力电压。在实际进行时,更重要的是评估MOSFET最大应力电压和河池变压器数匝数比如何随所选择的最大佔空比而变化,并选择一个可在MOSFET的一定最大击穿电压内给出‘圆形’(round)匝数比值。
确定一次侧电感
选择一次侧和二次侧电感有几个标準。
第一,选择可确保从满载到某些最小负载均在连续模式执行的一次侧电感。
第二,透过确定最大二次侧纹波
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